技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件框架。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換，半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材，為了與集成電路相區(qū)別，有時(shí)也稱為分立器件，絕大部分二端器件(即晶體二極管)的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。

而半導(dǎo)體全包封功率器件，在某些高壓應(yīng)用場(chǎng)景，要求塑封體四面需滿足V高壓絕緣測(cè)試；除底部引腳外，管體的前后左右均由樹(shù)脂料包封，以保證其絕緣性能。

目前框架載芯板上由于未設(shè)置輔助固定結(jié)構(gòu)，從而導(dǎo)致封裝生產(chǎn)過(guò)程中，載芯板位置不穩(wěn)定，易發(fā)生前后、左右的變形，造成變形位置的樹(shù)脂料厚度不足，從而影響絕緣性能，使得產(chǎn)品無(wú)法滿足V絕緣測(cè)試的要求。

實(shí)用新型內(nèi)容

基于此，本實(shí)用新型的目的是提供一種半導(dǎo)體器件框架，旨在解決此問(wèn)題。

通過(guò)塑封膠包封，半導(dǎo)體器件框架包括上框總成以及設(shè)置在上框總成底部的下框總成，上框總成包括與下框總成連接的第一外引腳、設(shè)置在第一外引腳上遠(yuǎn)離下框總成一側(cè)的多根第一引線、與多根第一引線上遠(yuǎn)離第一外引腳一側(cè)連接的第一載芯板以及第一載芯板上遠(yuǎn)離第一引線一側(cè)向外延伸出的上連筋，其中，上框總成與下框總成相同且呈相對(duì)設(shè)置。

通過(guò)在第一載芯板及第二載芯板上分別加設(shè)上連筋及下連筋，能夠確保相鄰的兩塊第一載芯板以及相鄰的兩塊第二載芯板之間的間距相同以及提高結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，從而側(cè)面提高了分別與第一載芯板連接的第一引線和第一外引腳以及分別與第二載芯板連接的第二引線和第二外引腳之間的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，避免上述結(jié)構(gòu)受第一載芯板或第二載芯板形變影響造成跟隨形變的情況，解決了目前框架載芯板上由于未設(shè)置輔助固定結(jié)構(gòu)，從而導(dǎo)致載芯板處在封裝生產(chǎn)過(guò)程中存在不穩(wěn)定性，以使載芯板易發(fā)生前后、左右的變形，造成變形位置的樹(shù)脂料厚度不足，從而影響產(chǎn)品的絕緣性能，使得產(chǎn)品無(wú)法滿足V絕緣測(cè)試的要求的問(wèn)題。

另外，還可以具有如下的附加技術(shù)特征：

下框總成包括與第一外引腳固定連接的第二外引腳、第二外引腳上遠(yuǎn)離第一外引腳一側(cè)設(shè)置的多根第二引線、設(shè)置在多根第二引線上遠(yuǎn)離第二外引腳一側(cè)的第二載芯板以及第二載芯板上遠(yuǎn)離第二引線一側(cè)向外延伸出的下連筋。

第一載芯板中部空置有容置芯片的載芯槽。

第一載芯板上靠近上連筋一側(cè)開(kāi)設(shè)有兩鎖膠孔。

第一載芯板上靠近第一引線一側(cè)設(shè)置有兩焊腳。

第一引線和第二引線均設(shè)置有三根。

上連筋包括與第一載芯板連接的多根連接部以及將多根連接部串連的固定部。

連接部在第一載芯板上共設(shè)置有兩根。

主要元件符號(hào)說(shuō)明：